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In-situ Experimente im Transmissionselektronenmikroskop zu den Mechanismen des resistiven Schaltens in Oxiden für nicht-flüchtige Datenspeicher
Note: Zur schnellen Informationsspeicherung werden zur Zeit überwiegend „dynamic random access memories (DRAMs) eingesetzt, z. B. als Arbeitsspeicher im PC. Diese ladungsbasierten, dielektrischen Speicher leiden mit zunehmender Integration und somit abnehmende
| Grant period | 2005-01-01 - 2011-12-31 |
| Funding body | German Research Foundation |
| DFG | |
| Grant number | grant.4782270 |
| Identifier | G:(GEPRIS)16318811 |
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Record created 2021-09-20, last modified 2021-09-22