Record #239549 - GSI Repository

SFB 917 C02

Defekt-Engineering und Skalierung von resistiv schaltenden oxidischen Dünnschichten (C02)

Coordinator	Professorin Dr. Regina Dittmann
Grant period	2011 - 2023
Funding body	Deutsche Forschungsgemeinschaft
	DFG
Identifier	G:(GEPRIS)202272379

⇧ SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" ⇧

Note: Im Projekt C2 werden wir die Details der Sauerstoffaustauschreaktion wie die Rolle von Kohlenstoff und Wasserstoff und ihr Zusammenspiel mit Defekten an der Oxid-Dünnschichtoberfläche weiter klären. Ein besonderer Schwerpunkt der dritten Förderperiode liegt auf der Untersuchung der Skalierungsgrenzen kristalliner Modellsysteme (HfO2 und SrTiO3) in Bezug auf den Zusammenhang zwischen der atomaren und elektronischen Struktur bestimmter Fehlerarten und Phasen, die Unterschiede in den feldinduzierten mikroskopischen Veränderungen und die daraus resultierenden elektrischen Veränderungen. Auf der Grundlage dieser Erkenntnisse werden wir Strategien für das Design von Dünnschichten mit optimierter Defektkonfiguration und -phase für eine verbesserte Zuverlässigkeit und Skalierbarkeit für zukünftige ReRAM-Anwendungen entwickeln.

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Record created 2021-09-20, last modified 2023-07-15

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