Record #253252 - GSI Repository

SFB 917 B10

Mechanismen des resistiven Schaltens in oxidischen Mott Isolatoren (B10)

Coordinator	Dr. Dirk Wouters
Grant period	2015 - 2023
Funding body	Deutsche Forschungsgemeinschaft
	DFG
Identifier	G:(GEPRIS)277688448

⇧ SFB 917: Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches" ⇧

Note: Das Projekt B10 untersucht die verschiedenen resistiven Schaltmechanismen, die bei Bauelementen mit Cr-dotiertem V2O3 Mott Material in Abhängigkeit von der Materialstruktur, der Sauerstoff-stöchiometrie und dem Cr-Dotierungsgrad sowie den verwendeten Elektroden auftreten. Insbesondere soll untersucht werden, ob Elektronen-Korrelationseffekte (d.h. ein echter "Mott"-Übergang) der Mechanismus sein könnte, der an dem flüchtigen und/oder nichtflüchtigen resistiven Schalten beteiligt ist, das bei Bauelementen mit symmetrischen Elektroden beobachtet wird. So sind temperatur- und ggf. druckabhängige Schaltversuche sowie eine detaillierte Charakterisierung durch TEM und ATP geplant.

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Record created 2023-01-19, last modified 2023-07-15

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