DFG project G:(GEPRIS)37579073

Trägheitsballistischer Elektronentransport in Si/SiGe-Nanostrukturen

CoordinatorProfessor Dr.-Ing. Ulrich Kunze
Grant period2007 - 2014
Funding bodyDeutsche Forschungsgemeinschaft
 DFG
IdentifierG:(GEPRIS)37579073

Note: Quantenballistischer Elektronentransport soll in nanoskaligen Si/SiGe-Heterofeldeffektstrukturen untersucht werden. Ausgehend von modulationsdotierten Schichten werden Quantendrähte und Nanokreuze mit lokalen top-Gates durch Elektronenstrahl-Lithografie und schädigungsarmes reaktives Ionenätzen hergestellt. An Quantendrähten werden im Hochmagnetfeld die Abweichungen von elementaren Modellen der Leitwertquantisierung untersucht. Symmetrische und asymmetrische Nanokreuze liefern in Vierpunktgeometrie Strom-Spannungs- (I-V-) Kennlinien und ihre Ableitungen dI/dV, d2l/dV2 als Funktion der Gate-Spannung, der Temperatur und des Magnetfeldes. Daraus soll auf die Entstehung nichtlokaler Spannungen durch Injektion von Elektronen in stromfreie Potenzialsonden, begrenzende Prozesse durch Wechselwirkung mit Phononen und anderen Elektronen sowie auf den Beitrag der Thermospannung durch heiße Elektronen geschlossen werden. Auf der Basis dieser Ergebnisse sollen ballistische Gleichrichter hoher Effizienz präpariert werden.
   

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 Record created 2023-02-04, last modified 2024-09-28