Note: Zur hoch orts- und tiefenaufgelösten Analyse der atomaren Zusammensetzung von Festkörpern und insbesondere der Bestimmung von Dotierstoffprofilen in Halbleitern soll am Institut für Physik der Fakultät für Naturwissenschaften der Otto-von-Guericke Universität Magdeburg Ersatz für ein mehr als 30 Jahre altes Sekundärionenmassenspektrometer (SIMS) angeschafft werden. Das Spektrometer wird von der Abteilung Halbleiterepitaxie betrieben werden, die sich intensiv mit der Herstellung, Erforschung und Anwendung hochreiner, einkristalliner Epitaxieschichten aus der Gruppe der III-V Verbindungshalbleiter beschäftigt. Aktuelle Schwerpunkte dieser Forschung sind das lokale Wachstum von Halbleiterstrukturen mittels laser-unterstützer metallorganischer Gasphasenepitaxie, vertikale Leistungselektronik auf Basis von Gruppe-III Nitriden und die Sputterepitaxie von Übergangsmetall-Nitriden. Neben einer typischen Tiefenauflösung von ungefähr 1 nm ist auch ein hohes laterales Auflö-sungsvermögen erwünscht, um insbesondere das lokale Wachstum von Halbleiterstrukturen als auch Bauelementeigenschaften besser zu verstehen. Zusätzlich sollen auch Oberflächenverunreinigungen detektiert werden können, die typischerweise problematisch bei der Herstellung von Schichtstrukturen mittels Epitaxieverfahren und von optoelektronischen und elektronischen Halbleiterbauelementen sind. Kooperierende Arbeitsgruppen aus dem Institut für Physik (Materialphysik, Festkörperphysik) und dem Institut für Werkstoff und Fügetechnik (Metallische Werkstoffe) sind an der Mitnutzung des Instruments beteiligt.
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Record created 2024-01-12, last modified 2024-09-28